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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ovc iii

85-528VAC超寬輸入OVC III認(rèn)證電源，適用于工業(yè)自動化，商業(yè)和住宅建筑中的電器

  • XP Power推出PCB安裝型AC-DC電源EHL系列，可提供3.3VDC至48VDC的單輸出電壓。這款EHL05（5W）和EHL20（20W）高功率密度電源有裸板型和封裝型可選，具有85VAC至528VAC的超寬輸入范圍，可在電源波動條件下實現(xiàn)全局兼容性和高穩(wěn)定性。EHL系列具有IEC II級結(jié)構(gòu)，符合全球工業(yè)和家庭安全認(rèn)證，專為480VAC系統(tǒng)中的相間操作而設(shè)計。OVC III（過電壓III類）認(rèn)證可直接連接到工業(yè)布線裝置，提高電氣安全性，并降低敏感電子設(shè)備損壞的風(fēng)險。EHL系列符合多種認(rèn)證，包括E
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科索為中型機器人控制器和工廠自動化提供三路隔離輸出300W的電源解決方案

  • 科索有限責(zé)任公司近日宣布擴大其為中型機器人和工廠自動化設(shè)計的RB系列，增加一款300W的版本。RBC300F是一種開放式框架，可配置AC/DC電源，具有三路輸出，專門為機器人控制器和工廠自動化定制。基于一個獨特的概念，科索RBC300F系列提供三個可配置隔離輸出，其中一個具有增強隔離給智能柵雙極型晶體管（IGBT）或等效應(yīng)用供電。RBC300F通過EN62477-1過電壓類別（OVC）Ⅲ認(rèn)證，當(dāng)連接到配電板時，通過減少額外的隔離變壓器，RBC300F電源簡化了系統(tǒng)架構(gòu)師的設(shè)計過程，同時降低了成本。RBC3
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美國科學(xué)家生產(chǎn)效率為47.1％的六結(jié)太陽能電池

  • 美國國家可再生能源實驗室宣布，科學(xué)家們生產(chǎn)出了一種六結(jié)太陽能電池，在集中照明下測得的效率為47.1%，從而創(chuàng)造了新的世界紀(jì)錄。
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64位MIPS架構(gòu)為OCTEON III處理器提供低功耗、高吞吐量處理能力

  • Imagination Technologies 宣布，該公司的64位MIPS架構(gòu)已獲得面向下一代企業(yè)、數(shù)據(jù)中心與服務(wù)提供商基礎(chǔ)架構(gòu)等應(yīng)用的Cavium新款低功耗OCTEONreg; II
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一種基于μC/OS-III及STM32的多功能控制器

  • 多功能控制器通信接口多樣，具有人機界面，配有μC/OS-III操作系統(tǒng)，有完善的硬件驅(qū)動，可在分布式控制系統(tǒng)中完成多種任務(wù)。
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使用TinySwitch-III的12W寬電壓輸入的恒壓適配

  • 使用TinySwitch-III的12W寬電壓輸入的恒壓適配器電路該電源為12V、1A輸出的寬電壓輸入反激式轉(zhuǎn)換器，采用了TinySwitch-III系列中的TNY278P器件。由于很多功能已經(jīng)集成在器件內(nèi)部，因此僅需要31個直插式元件（無表面...
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CY3664－enCoRe III:無線鼠標(biāo)游戲手柄開發(fā)系統(tǒng)解決方案

  • Cypress公司的CY7C603xx系列是低壓enCoRe III PSoC器件，采用功能強大的哈佛架構(gòu)，M8C處理器的速度高達(dá)12MHz，工作電壓2.4V～3.6V,具有可配置的外設(shè)如8位定時器,計數(shù)器和PWM,，全雙工主或從SPI，10位ADC，8位SAR ADC
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μC／OS―III為縮短中斷關(guān)閉時間作出的改進

  • μC／OS―III為縮短中斷關(guān)閉時間作出的改進,摘要：本文介紹了實時內(nèi)核的中斷機制，研究了mu;C／OS—III為縮短中斷關(guān)閉時間做出的改進。通過對比mu;C／OS—II以及mu;C／OS—III的中斷管理辦法，分析mu;C／OS—III在哪些方面作出了改進。
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基于μC／OS―III和ARM的空心杯電機控制器設(shè)計

  • 基于μC／OS―III和ARM的空心杯電機控制器設(shè)計,引言空心杯電機在結(jié)構(gòu)上采用了無鐵芯轉(zhuǎn)子，克服了有鐵芯電動機不可逾越的技術(shù)障礙，使其具備了更加突出的節(jié)能特性、靈敏方便的控制特性和穩(wěn)定的運行特性。隨著工業(yè)技術(shù)的飛速發(fā)展，電動機的伺服特性要求不斷提高，空
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64位MIPS架構(gòu)為OCTEON III處理器提供低功耗、高吞

  • Imagination Technologies 宣布，該公司的64位MIPS架構(gòu)已獲得面向下一代企業(yè)、數(shù)據(jù)中心與服務(wù)提供商基礎(chǔ)架構(gòu)等應(yīng)用的Cavium新款低功耗OCTEON® III SoC處理器
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Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

  • 　　比利時奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式，發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。 　　目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道，并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動至垂直的方向，3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝，而不必遵循微縮規(guī)則。 　　此外，Imec最近發(fā)現(xiàn)，透過使用通道中的III-V材
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如何將RTOS添加到您的Zynq SoC設(shè)計中

  • 　　1 什么是實時操作系統(tǒng)? 　　實時操作系統(tǒng)是確定的，意思是指系統(tǒng)需要在明確的截止時間內(nèi)做出響應(yīng)。這種確定性很重要，其原因有多種，例如，如果最終應(yīng)用正在監(jiān)控工業(yè)流程，那么必須在特定時段內(nèi)對事件做出響應(yīng)，工業(yè)控制系統(tǒng)就屬于這類情況。 　　可根據(jù)滿足截止時間的能力對RTOS進一步分類為三種不同類型的RTOS，每種類型都以不同方式滿足截止時間。在hard RTOS中，錯過截止時間被視為系統(tǒng)錯誤。而對于firm RTOS就不是這樣，偶爾錯過截止時間是可以接受的。在soft RTOS中，錯過一次截止時間會減少
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經(jīng)典再續(xù)：μC/OS-III

  • 　　μC/OS-III相比于μC/OS-II做了很多的改進，是一款全新的內(nèi)核，在效率方面有了很大提升，并且支持任務(wù)的時間片輪轉(zhuǎn)調(diào)度，摒棄了一些不必要的內(nèi)容，如消息郵箱，對于熟悉μC/OS-II的工程師來說，上手μC/OS-III還是比較容易的，先來了解一下μC/OS-III做了哪些具體的改進。 　　一、時鐘節(jié)拍的改進 　　在RTOS中,任務(wù)可通過調(diào)用延時函數(shù)(如OSTimeDly( )函數(shù))將自己延時掛起一段時間，任務(wù)在延時的過程中會釋放CPU,延時的任務(wù)不占用寶貴的CP
  • 關(guān)鍵字： RTOS  μC/OS-III  μC/OS-II  

基于μC/OS-III及STM32的多功能控制器設(shè)計

  • 　　電動軌道車控制系統(tǒng)一般分為多個子系統(tǒng)，子系統(tǒng)受一個主控器控制。這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計繁瑣，編程復(fù)雜。采用μC/OS-III操作系統(tǒng)、STM32F103RC微控制器、12864液晶屏、PVC按鍵、無線串口模塊、鋰電池等實現(xiàn)具有人機界面、無線串口功能的總線主控器。該控制器具有人機界面、軌道車主控器、遙控接收器、遙控面板等多種功能，并且能在不同項目中使用。(※ μC/OS-III從官網(wǎng)上下載，文件名為Micrium_uC-Eval-STM32F107_uCOS-III,版本為V1.29.01.00。)
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超越矽晶 III-V族材料可望生成MOSFET

  • 　　最高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014VLSI技術(shù)研討會上的研究人員們表示，未來，這種MOSFET將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。 　　在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中，美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的MOSFET──這種MOSFET是由在(InP)上的砷化銦鎵(InGaAs)所形成;這種
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